| 半导体巨头抢入20纳米，设备厂展开新一轮抢单 |
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| (2013-8-24 12:24:32) 1176人次浏览 |
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【导读】随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代，设备厂也展开新一波的抢单计划。
在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜（DR SEM）技术后，另一设备大厂科磊（KLA Tencor）21日宣布，同步推出新一化光学及电子束晶圆缺陷检测系统。随着两大设备厂已抢进台积电及英特尔供应链，对于国内设备厂汉微科来说竞争压力大增。
虽然半导体市场下半年景气能见度不高，但是包括台积电、英特尔、三星、格罗方德（Global Foundries）、联电等大厂，仍积极投入扩充新产能，尤其是明年将相继跨入20纳米，后年则会进入16纳米或14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）世代，也因此，国内外设备大厂已积极布局争取商机。
在晶圆缺陷检测设备市场上，国内设备厂汉微科靠着电子束检测设备打响名号，现在已经打入台积电、三星、英特尔等大厂供应链。由于缺陷检测攸关制程良率的提升速度，国际大厂如应用材料、科磊等，也已在光学及电子束检测设备市场推出新一代产品，同样也获得台积电、英特尔等大厂青睐及采用。
应用材料已在其SEM Vision系列设备上，推出一套最新缺陷检测及分类技术，该设备的缺陷分析系统结合前所未有高分辨率、多维影像分析功能，及革命性创新的Purity自动化缺陷分类（ADC）系统高智能的机器学习算法，同时为半导体产业引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜技术，并可支持到10纳米制程。
科磊昨日在科技论坛中宣布推出采用NanoPoint技术的光学晶圆缺陷检测平台及新型eDR-7100电子束晶圆缺陷检查系统。科磊两此大平台可以相互支持，可以迅速发现和可靠识别影响良率的缺陷，透过缺陷侦测并成像位于3D或垂直结构如FinFET底部的独特缺陷，在最短时间内拉高制程良率。
法人表示，虽然汉微科在各大半导体厂的电子束缺陷检测设备市场占有率仍高，但应用材料及科磊大动作进行卡位，尤其在现有光学缺陷检测设备平台上增加支持，降低晶圆厂成本，的确会对汉微科造成竞争压力。
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