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半导体之父——施敏:发明手机存储器

(2013-6-22 10:50:01)  1647人次浏览
 
     从人手一支的智能型手机,到数码电视、数码相机、全球定位系统,这些改变人类生活型态、可「带着走」的日常器物,能这么方便,全因里面的一颗特殊存储器。这个装置,早在1967年就发明,叫「浮闸存储器」,由台湾养成的科学家施敏教授与韩籍同事在美国贝尔实验室发明。但这项发明被冷落16年,直到1983年任天堂掌上型游戏机、1989年Nokia手机为了轻巧省电,相继采用,才成主流;这段经历,在新出版的「施敏与数码时代的故事」,详细记载。
  施敏素有「半导体之父」美誉,他说,这发明很有趣,有一回,他和韩籍同事姜大元休息吃甜点,用了一层又一层的涂酱,触动施敏与他二人的灵感,并很快开发出「浮闸非挥发性存储器」。「没有这发明,你的相机还须用底片」施敏说。
  施敏是交大终身讲座教授,交大昨天为他办新书发表会,他最重要一本书是33岁时以英文写成的「半导体元件物理学」,全球瞩目,被翻成6国语言,全球发行超过150万册,有「半导体界圣经」之誉。
  钰创科技董事长卢超群说,「即使到现在重读这书,都有新发现」;旺宏电子总经理卢志远说,施教授的发明,让人类提早享受数码电子的生活。
  施敏在贝尔实验室任职27年,曾5次留职停薪回台任教,包括交大前校长张俊彦、卢超群、台积电副总经理孙元成、交大副校长谢汉萍,都是他学生,1990年退休到交大任教至今。
  卢超群说,「施教授的学生已经8代」,个个有成,他不仅是台湾之光,也是全球半导体研发与教育之光。(来源:经济日报)

  相关阅读:施敏
  施敏(Simon M·Sze)美国国籍,微电子科学技术、半导体器件物理专家,台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授,美国工程院院士,中国工程院院士,台湾中央研究院三院院士。
  1936年出生,1957年毕业于台湾大学,
  1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位,
  1963年至1989年在贝尔实验室工作。
  施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管(MOSFET)的发明者,这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一,90年代初其产值已达100亿美元,是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外,他还有多项创造性成果,如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件,首先发现崩溃电压与能隙的关系,建立了微电子元件最高电场的指标,如此等等。
  施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名,对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。
  他的三本专著已在我国翻译出版,其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字,发行量逾百万册;
  他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献,先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士;1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
  施敏博士多次来国内讲学,参加我国微电子器件研讨会;他对台湾微电子产业的发展,曾提出过有份量的建议。
  他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。

  主要著作
  1、Physics of Semiconductor Devices, 812pages, Wiley Interscience,New York,1969.
  2、Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed., 868 pages, Wiley Interscience,New York,1981.
  3、Semiconductor Devices: Physics and Technology, 523 pages, Wiley, New York,1985.
  4、Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed., 564 pages,Wiley, New York,2002.
  5、Fundamentals of Semiconductor Fabrication, with G.May,305 pages, Wiley, New York, 2003.
  6、Semiconductor Devices: Pioneering Papers, 1003 pages, World Scientific, Singapore, 1991.
  7、Semiconductor Sensors, 550pages, Wiley Interscience,New York, 1994.
  8、ULSI Technology, with C.Y.Chang, 726 pages, McGraw Hill, New York, 1996.
  9、Modern Semiconductor Device Physics, 555pages, Wiley Interscience,New York, 1998.
  10、ULSI Devices, with C.Y.Chang, 729 pages,Wiley Interscience,New York, 2000.
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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