资讯首页 >> 时事新闻 >> 详细内容

武汉争夺半导体产业第三极

(2013-5-23 10:50:54)  1317人次浏览
 
     全球电子设计自动化(EDA)行业领导者新思科技(Nasdaq:SNPS)在武汉设立的全球性知识产权(IP)研发中心于21日正式开业。东湖高新区方面预计,新思科技有望引发蝴蝶效应,未来3~5年,至少可吸引15家集成电路及相关上下游企业落户光谷。
  “这是武汉为坐上中国半导体产业第三把交椅祭出的又一重要筹码”。国家集成电路人才培养基地(武汉)主任邹雪城对《第一财经日报》说。
  除武汉之外,无锡、西安等地亦在抢夺国内半导体产业第三极。武汉具有专业人才资源丰富、技术自主可控等优势,但在半导体总产值上与竞争城市则存在一定差距。邹雪城说,武汉当务之急是通过吸引投资把规模做上去。
  “半导体芯片就是信息产业的粮食”。邹雪城对本报记者坦言,芯片产业已是关系到国家安全、经济安全的战略产业。据国际货币基金组织测算,芯片1元的产值可带动相关电子信息产业10元产值,带来100元的GDP,2013年全球半导体市场总收入预计3110亿美元。但由于缺乏关键技术,我国半导体芯片生产份额仅占全球芯片市场的10%左右,约90%的芯片产品依赖进口,进口总额约1650亿美元,远远超过进口石油的1200亿美元。
  在武汉市半导体产业促进恳谈会上,国内多位半导体行业资深人士列举了近年来国内多地发展半导体产业的成败经验,也有失败案例。比如北方、西部、东北均有个别城市因招引“孤岛”企业,或以当地一央企为主体,忽视了本地市场和产业基础,没有与业内领先企业合作,引进项目带动性差;选择领域有误,与当地人才、市场和产业基础脱钩;资本金设置不合理,贷款多,导致企业负担过重;决策周期冗长,错失整体收购外资企业的时机,相关配套及后续发展又没有及时跟上等原因,最终导致项目失败。
  据介绍,半导体集成电路企业就“政府部门、部委资源、基础设施、人力资源、产业环境”等关键性因素对上述城市进行评分,其中得分位列第一梯队的为上海和北京两市,其他城市均位列第二梯队。可见,各地对于半导体产业第三极地位的争夺异常激烈。
  (新闻出处:第一财经日报)

  新思科技全球研发中心揭牌 带动15家相关企业落户光谷
  武汉集成电路产业再添新军。21日,新思科技武汉全球研发中心揭牌,其将为全球开发领先的知识产权产品,并带动我市芯片设计产业集群式发展。
  利用知识产权产品进行模块式开发,是芯片设计领域的一项重大变革。中国半导体行业协会副理事长严晓浪指出,随着系统芯片的快速普及,知识产权产品至关重要。武汉具备这一智力密集型、创新密集型产业发展需要的核心人力资源,新思科技研发中心落户武汉后,将推动中部乃至全国的集成电路产业发展。
  新思科技武汉全球研发中心坐落于光谷未来科技城,项目总投资将达5000万美元,预计到2015年实现产值1.7亿元;此外新思科技还将建设集成电路设计产业中心、培训基地,预计3~5年内,将带动至少15家上下游企业落户光谷。
  武汉半导体产业促进恳谈会同日举行,中芯国际、台积电、海思半导体等十多家企业云集现场。2012年,我市电子信息产业产值超过2000亿元,东湖高新区已聚集芯片设计、制造企业50余家,其中芯片设计企业30余家,从业人员2000余人。
  新思科技总裁陈志宽说,已有六七家合作伙伴有意参与到光谷项目中来。武汉已迎来承接高科技产业迁移的良好时点,政府部门的执着、敬业和职业精神更让企业信心倍增。在美国,新思科技为斯坦福大学等顶尖机构提供开发工具,未来也将为武汉企业、科研院校提供相同的世界级平台。
  市长唐良智表示,我国正全力打造“中国经济升级版”,信息化应是其中的核心内容。去年我国仅进口芯片价值就达1700亿美元,半导体产业前景广阔。武汉已决心打造继北京、上海之后的半导体产业“第三极”,竭尽全力为企业提供发展空间。市领导胡立山、张文彤参与活动。  (《长江日报》记者:蔡木子)
--------------------------------------------------
 免责声明:文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考,并请自行核实相关内容
产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 2013年主打产品型号与参数选型→浏览下载
--------------------------------------------------  
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·美国芯片业9大组织强烈抗议对华出口 (4-8)
·广东公牛与慈溪公牛不正当竞争案二审结果 (10-21)
·2017年中国半导体产业十大事件 (1-2)
·欧洲12国查获100万中国进口仿冒半导体元件 (7-6)
·我国集成电路产业的“家底” (4-5)
·全球抢OLED市场,三星仍将称霸2年 (3-6)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·著名半导体厂家网址
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·Richtek-台湾立琦科技
·有关ST,PHILIPS等公司无
·双向可控硅的命名
·C106D-HC106D-单向可
·BTA41-1200B特制高压双
·Z0405MF-双向可控硅
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的符号说明
·可控硅元件的电压说明
·MCR22-8 单向可控硅
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·三象限与四象限有何区别?
·怎样判别二极管的极性
·BT151S-500R贴片可控硅
·BTA100-1200B
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·Micron-镁光科技
·ASE-台湾日月光半导体
·单向可控硅的命名
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·BT138X-600F全塑封可控
·可控硅的应用原则
·世界上通用的可控硅型号
·BT136S-600E SMD
·Mikron-俄罗斯芯片厂商-米
·参加阿里巴巴竞价历史记录

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:爱学海iXueHai.cn 粤ICP备10237964号-1 中国企业官网大联盟 

访问统计: