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IGBT项目年内将建成投产

(2013-4-15 11:17:38)  1344人次浏览
 
     IGBT项目年内将建成投产
  图:南车株洲电力机车研究所有限公司
  4月12日,南车株洲电力机车研究所有限公司传来消息:
  8英寸IGBT生产线项目年内就可建成投产。
  IGBT是一种新型功率半导体器件,具有驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、电流密度大等优点,广泛应用于轨道交通、航空航天、新能源电动汽车、高压变频及电力传输等重要行业和领域。
  长期以来,全球IGBT技术,尤其是6英寸以上大功率IGBT关键技术及产品,被日本三菱、东芝、瑞士ABB、德国英飞凌等少数大公司垄断。
  “南车株洲所”凭借雄厚的技术实力,成功攻克技术难关,相继研制出6英寸、8英寸IGBT产品,形成了设计、研制、系统应用等成套技术,在打破国外技术垄断的同时,填补了国内在这一高新技术产业领域的空白。
  2011年5月,“南车株洲所”8英寸IGBT生产线项目奠基建设,这是全国首条该尺寸IGBT生产线。
  建成投产后,将形成年产12万片8英对lGBT芯片和100万只大功率新型半导体器件生产能力,年产值超20亿元,成为我国规模最大的IGBT产业基地。目前,项目厂房建设、基础工程、工艺设备等方面,正在快速推进。
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  2013年04月产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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