资讯首页 >> 时事新闻 >> 详细内容

打造TD-LTE四大产业集群加速推进国家信息化战略

(2013-3-8 16:10:28)  1242人次浏览
 
     打造TD-LTE四大产业集群 加速推进国家信息化战略
  3月7日消息,今年两会,在政府工作报告中,将“积极推动信息化和工业化融合,加快建设新一代信息基础设施,促进信息网络技术广泛应用”,列入了2013年加快转变经济发展方式,促进经济持续健康发展的重要内容。信息化成为两会热议话题,引起社会各行各业热议。来自通信行业的代表、委员们尤为引人关注。
  全国政协委员、中国移动董事长奚国华提出了“大力推进国家信息化战略”的提案,指出我国在发展信息化的核心技术方面缺乏国际竞争力,建议将大力推进信息化作为一项重大国家战略任务来抓。而全国人大代表、中国移动广东公司总经理徐龙认为TD-LTE技术作为我国信息化自主创新的重大突破,是提升信息化核心技术竞争能力的重要抓手。为此,在全国两会上,徐龙建议应加快TD-LTE发展,推动产业链成熟。
  据了解,在今年巴塞罗那举行的世界移动通信大会上(MWC),TD-LTE已经构建起了以中国企业为主导、全球企业广泛深度参与的产业生态圈。目前已有14个TD-LTE商用网在亚洲、欧洲、大洋洲的多个国家和地区运行,有10家芯片厂商推出TD-LTE终端芯片,31家厂商推出125款TD-LTE终端。去年,中国移动在15个主要城市建设基站规模达2万个的TD-LTE扩大规模试验网,并在今年的全球移动通信大会MWC上提出了“双百”计划,即在超过100个城市建设TD-LTE网络,采购超过100万部TD-LTE终端。有专家认为,这将为TD-LTE上下游产业链带来前所未有的发展机遇。
  专家分析认为,第四代无线通信TD-LTE技术将是未来信息技术、发展无线宽带的主力军,可以助力国家实现四个跨越:一是宽带水平的跨越。它是我国信息化自主创新的重要成果,改变了欧美国家长期主导移动通信标准的局面。可以快速提升我国无线宽带的覆盖水平和发展水平。二是新型城镇化的跨越。以“新技术”装备“新城镇”,发挥后发优势,以速度来抵消距离,以“带宽”来弥补“路宽”。三是信息化新农村的跨越。700MHz的TD-LTE信号传播质量高,基站覆盖面积大,特别适合农村覆盖,能快速消除城乡数字鸿沟。四是信息化的整体跨越。将直接带动通信运营、信息服务、设备制造业创造百、千、万亿级的市场规模,推进产业转型升级。
  为此,徐龙建议应大力打造TD-LTE四大产业集群,加速推进国家信息化战略落地。
  首先,打造TD-LTE技术创新集群。建议国家在牌照发放、站址规划、频谱资源等方面应加大TD-LTE产业的扶持力度,加快TD-LTE商用进程,并从战略层面鼓励运营商、终端商、设备商共同加强TD-LTE的技术创新、产业创新,吸引跨国通信设备制造商、手机制造商、软件开发企业及TD-LTE产业相关企业在国内设立生产基地、研发中心或扩大投资,打造以TD-LTE技术为核心的现代信息技术创新研发中心地。
  其次,打造制造产业信息化创新集群,利用TD-LTE信息技术的“倍增性”和“渗透性”,积极改造传统制造业,迅速提高劳动生产率,推动主导产业的更迭,实现由劳动、资本密集型向知识技术密集型过渡,推动产业结构升级。
  第三,打造服务产业信息化创新集群。依托TD-LTE技术搭建集中化、集成化、集约化的信息产品销售平台,建立更丰富的虚拟化商家联盟,打造信息物流、信息商圈,打造信息消费产业生态集群。
  第四,打造社会管理信息化创新集群。利用TD-LTE技术,建设多元化、立体化的网络学习平台、创新网络管理平台、深化网络沟通平台、提效网络监督平台,推动社会管理创新。(来源:飞象网)
 ------------------------------------------------
  免责声明:文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考,并请自行核实相关内容
  2013年03月产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
 ------------------------------------------------  
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·美国芯片业9大组织强烈抗议对华出口 (4-8)
·广东公牛与慈溪公牛不正当竞争案二审结果 (10-21)
·2017年中国半导体产业十大事件 (1-2)
·欧洲12国查获100万中国进口仿冒半导体元件 (7-6)
·我国集成电路产业的“家底” (4-5)
·全球抢OLED市场,三星仍将称霸2年 (3-6)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·著名半导体厂家网址
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·Richtek-台湾立琦科技
·有关ST,PHILIPS等公司无
·双向可控硅的命名
·C106D-HC106D-单向可
·BTA41-1200B特制高压双
·Z0405MF-双向可控硅
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的符号说明
·可控硅元件的电压说明
·MCR22-8 单向可控硅
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·三象限与四象限有何区别?
·怎样判别二极管的极性
·BT151S-500R贴片可控硅
·BTA100-1200B
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·Micron-镁光科技
·ASE-台湾日月光半导体
·单向可控硅的命名
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·BT138X-600F全塑封可控
·可控硅的应用原则
·世界上通用的可控硅型号
·BT136S-600E SMD
·Mikron-俄罗斯芯片厂商-米
·参加阿里巴巴竞价历史记录

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:爱学海iXueHai.cn 粤ICP备10237964号-1 中国企业官网大联盟 

访问统计: