资讯首页 >> 时事新闻 >> 详细内容

评论:市场化主导才是4G发展根本推动力

(2013-3-8 16:10:03)  1282人次浏览
 
     3月4日,出席两会的联通董事长常小兵突然表示,希望政府尽快发放4G牌照,使得政策明朗。而在此之前,常小兵对于联通上马4G的态度一直都非常谨慎,曾经多次表示不着急。
  那么,又是什么让常小兵开始着急了呢?恐怕还是中国移动在4G上的提速。如果说2012年中国移动在北京、上海、广州、深圳、厦门、天津、成都等16个城市建设的TD-LTE网络还可以称作“试验网”的话,2013年中国移动在国内100个城市的网络建设和放号恐怕已经具备了“试商用”的性质。
  也就是说,虽然还没有发4G牌照,但是政府扶植TD-LTE的态度已经昭然若揭。去年10月工信部专门给TD-LTE辟出了190MHz的频段资源,加上此前已经分配的100MHz,TD-LTE一共拿到了290MHz的频段资源,而组一张TD-LTE网只需要120MHz的频段资源。另一方面,既然工信部还没发4G牌照,按道理中国移动不应该建设规模如此庞大的TD-LTE“试验网”,而移动不仅大张旗鼓地建了,也没看到工信部的任何官员表示异议。
  中国移动又为什么着急上4G呢?还不是因为拿到的3G不给力!2009年年初,工信部在发放3G牌照的时候,硬是将产业链非常不成熟的TD-SCDMA牌照塞给了中国移动,这也使得中国移动在最近几年的竞争中步步被动:2G时代,中国移动的市场占有率高达2/3以上,ARPU远远高于另外两家运营商(中国联通和中国电信);而在3G的战场上,中国移动勉强守住了1/3的份额,即使是这1/3的用户,很多也不过是拿着3G的手机,干着2G的活,其ARPU远远低于联通和电信。因此,中国移动迫切地希望通过4G挽回颓势。
  从上面这些事情,我们已经看到电信市场的问题:作为央企的三家运营商并不能自主选择符合自己发展的技术标准,也不能雇佣合格的职业经理人来管理企业。运营商说分就分了,说合就合了,高层说轮岗就轮岗了,甚至还能到竞争对手那里任职,像前中国移动董事长王建宙,上任之前的身份是中国联通的董事长……
  再往深层次说,问题的根子出在了政府身上。一些政府高官既不了解电信行业的发展规律,还要自以为是,结果经常做出各种啼笑皆非的决策。例如,当年在联通已经开始做GSM并小有规模的时候,为了应付美国人,又强行让联通上马CDMA,结果造成了“左右手互博”的尴尬境地。
  当年3G牌照的发放也是一个明显的败招。在某些利益集团的大力忽悠之下,TD-SCDMA被包装成了拥有自主知识产权的“中国标准”。其实,这个标准最早起源于西门子公司,基础技术也是基于CDMA,大唐、中兴和华为等中国厂商在其中到底有多大的主导权,其实也是说不太清楚的事情。
  退一步说,即使TD-SCDMA技术标准完全由中国厂商主导,但又无法尽快商用,这个标准也会加速贬值。政府高官只看到了狭隘的自主知识产权,看到了国产电信设备商的利益,却看不到技术标准要商用才有价值的事实,看不到也需要保护规模更大的运营商和服务商利益这个事实。因此,最后变成了由于TD-SCDMA技术始终成熟不了,所以不能发放3G牌照,而不发3G牌照,整个产业链就此陷入了僵局的困境。
  2009年,当中国的3G牌照终于落地的时候,欧美国家的3G已经运营了将近10年,积累了非常丰富的经验。电信基础设施的完善,客观上带动了相关产业的大发展。在美国,iPhone的大热就是因为3G运营商AT&T大胆推出无限量3G流量套餐,拉动了电信运营、电信设备、手机终端、移动互联网服务等产业链的大发展,促进了美国移动互联网的繁荣,从而让美国从欧洲手中夺回了领导权。可是,美国掌握了3G技术标准了吗?要知道,美国应用最广泛的3G技术标准(WCDMA)是爱立信等欧洲厂商提出并主导的。
  有关部门似乎汲取了当年3G牌照发晚了的教训,有意识地鼓励中国移动搞TD-LTE大规模“试商用”,从而拉动TD-LTE产业链尽快成熟。不过,这种带着明显“人治”痕迹的决策并不能够给市场稳定的预期,也未必真能促进TD-LTE产业链的成熟。
  其实,有关部门要做的事情很简单:立即发放4G牌照,具体的技术标准由运营商自己选择,上帝的归上帝,凯撒的归凯撒。要相信人民群众的力量,他们能够把自己的事情办好!
  (来源: 网易科技报道,专栏作家:冀勇庆)
 ------------------------------------------------
  免责声明:文章摘自网络、本网站不承担其内容的真实性与准确性、仅供读者参考,并请自行核实相关内容
  2013年03月产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
 ------------------------------------------------  
来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
相关资讯
·美国芯片业9大组织强烈抗议对华出口 (4-8)
·广东公牛与慈溪公牛不正当竞争案二审结果 (10-21)
·2017年中国半导体产业十大事件 (1-2)
·欧洲12国查获100万中国进口仿冒半导体元件 (7-6)
·我国集成电路产业的“家底” (4-5)
·全球抢OLED市场,三星仍将称霸2年 (3-6)

 
最新资讯
暂无资讯

热门资讯
·著名半导体厂家网址
·MCR8SN 高灵敏度单向可控硅
·Richtek-台湾立琦科技
·有关ST,PHILIPS等公司无
·双向可控硅的命名
·C106D-HC106D-单向可
·BTA41-1200B特制高压双
·Z0405MF-双向可控硅
·BT136S-600D贴片双向可
·可控硅元件的符号说明
·可控硅元件的电压说明
·MCR22-8 单向可控硅
·场效应管的基础知识
·BT137S-600E贴片双向可
·三象限与四象限有何区别?
·怎样判别二极管的极性
·BT151S-500R贴片可控硅
·BTA100-1200B
·X0605MA全新原装ST产品
·BT136-600E 全新供应
·Micron-镁光科技
·ASE-台湾日月光半导体
·单向可控硅的命名
·40A三端双向可控硅电压可提升至
·BT138X-600F全塑封可控
·可控硅的应用原则
·世界上通用的可控硅型号
·BT136S-600E SMD
·Mikron-俄罗斯芯片厂商-米
·参加阿里巴巴竞价历史记录

Copyright ©2003-  KKG.com.cn  Tel:(86)-755-27832599278324992995508029955090FAX: 27801767

 浩海电子 可控硅 二极管 三极管 三极管 单向可控硅 双向可控硅
技术支持:爱学海iXueHai.cn 粤ICP备10237964号-1 中国企业官网大联盟 

访问统计: